Artikel ; Online: Efficiency Enhancement by Insertion of ZnO Recombination Barrier Layer in CdS Quantum Dot-Sensitized Solar Cells.
Journal of nanoscience and nanotechnology
2021 Band 21, Heft 7, Seite(n) 3800–3805
Abstract: In this investigation we report the formation of thin ZnO recombination barrier layer at TiO₂/CdS interface aimed for the improvement in performance of CdS sensitized solar cell. The film was deposited upon nanocrystalline mesoporous TiO₂ surface by ... ...
Abstract | In this investigation we report the formation of thin ZnO recombination barrier layer at TiO₂/CdS interface aimed for the improvement in performance of CdS sensitized solar cell. The film was deposited upon nanocrystalline mesoporous TiO₂ surface by following a simple chemical process and characterized, using UV-Visible spectroscopy, X-ray diffraction and electron dispersive X-ray measurements. The insertion of ZnO thin layer enhances the QDSC (Quantum dot sensitized solar cell) performance, contributed mainly by an increase in open circuit voltage ( |
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Sprache | Englisch |
Erscheinungsdatum | 2021-03-15 |
Erscheinungsland | United States |
Dokumenttyp | Journal Article |
ISSN | 1533-4899 |
ISSN (online) | 1533-4899 |
DOI | 10.1166/jnn.2021.19234 |
Datenquelle | MEDical Literature Analysis and Retrieval System OnLINE |
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